מספר מוצר של יצרן:
IPD65R1K5CEAUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD65R1K5CEAUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 5.2A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
12801101
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD65R1K5CEAUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
225 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
53W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD65R1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001422862
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD5N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
STD5N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.64
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCD850N80Z
יצרן
onsemi
כמות זמינה
15910
DiGi מספר חלק
FCD850N80Z-DG
מחיר ליחידה
0.96
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPD70R1K4P7SAUMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
20689
DiGi מספר חלק
IPD70R1K4P7SAUMA1-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB120N06S402ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
IPD10N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7