מספר מוצר של יצרן:
IPA65R095C7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA65R095C7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
מלאי:
384 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803029
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA65R095C7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 590µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2140 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
34W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA65R095
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPA65R095C7XKSA1
SP001080126
INFINFIPA65R095C7XKSA1
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK35A65W,S5X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
13
DiGi מספר חלק
TK35A65W,S5X-DG
מחיר ליחידה
3.02
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF3205STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
IPW60R160P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
IRF7353D1PBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
