IPW60R160P6FKSA1
מספר מוצר של יצרן:

IPW60R160P6FKSA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPW60R160P6FKSA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

מלאי:

230 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803031
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPW60R160P6FKSA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
160mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 750µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2080 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
176W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW60R160

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
INFINFIPW60R160P6FKSA1
2156-IPW60R160P6FKSA1
SP001017092
חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRF7353D1PBF

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

infineon-technologies

IPL65R650C6SATMA1

MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK

infineon-technologies

IPS65R600E6AKMA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3

infineon-technologies

IRF7821TR

MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO