IPA037N08N3GXKSA1
מספר מוצר של יצרן:

IPA037N08N3GXKSA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPA037N08N3GXKSA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FP
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

מלאי:

436 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799822
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPA037N08N3GXKSA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
75A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 155µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
117 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8110 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
41W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA037

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
IPA037N08N3G
IPA037N08N3 G-DG
INFINFIPA037N08N3GXKSA1
2156-IPA037N08N3GXKSA1
IPA037N08N3 G
SP000446772
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
TK100A08N1,S4X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
TK100A08N1,S4X-DG
מחיר ליחידה
1.57
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPAW60R600P7SE8228XKSA1

MOSFET N-CH 600V 6A TO220

infineon-technologies

IPA60R380C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP

infineon-technologies

IPA80R650CEXKSA1

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220

infineon-technologies

BSP300 E6327

MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4