מספר מוצר של יצרן:
IPAW60R600P7SE8228XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPAW60R600P7SE8228XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
מלאי:
12799823
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPAW60R600P7SE8228XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 80µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
363 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
21W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPAW60
מידע נוסף
שמות אחרים
IPAW60R600P7SE8228XKSA1-DG
SP002367792
448-IPAW60R600P7SE8228XKSA1
חבילה סטנדרטית
450
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPA60R600P7SXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
689
DiGi מספר חלק
IPA60R600P7SXKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.35
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
IPAW60R600P7SXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1
DiGi מספר חלק
IPAW60R600P7SXKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.94
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
IPA60R600P7SE8228XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
500
DiGi מספר חלק
IPA60R600P7SE8228XKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.35
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA60R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
IPA80R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
BSP300 E6327
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
