מספר מוצר של יצרן:
IMBG65R007M2HXTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IMBG65R007M2HXTMA1-DG
תיאור:
SILICON CARBIDE MOSFET
תיאור מפורט:
מלאי:
13269409
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IMBG65R007M2HXTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005912570
448-IMBG65R007M2HXTMA1CT
448-IMBG65R007M2HXTMA1TR
448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSB028N06NN3GXUMA2
TRENCH 40<-<100V
IMW65R015M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IMBG65R040M2HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET