מספר מוצר של יצרן:
BSB028N06NN3GXUMA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSB028N06NN3GXUMA2-DG
תיאור:
TRENCH 40<-<100V
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-5-3
מלאי:
13269411
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSB028N06NN3GXUMA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22A (Ta), 90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 102µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
143 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
12000 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.2W (Ta), 78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
-
ההסמכה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
MG-WDSON-5-3
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric MN
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005948585
448-BSB028N06NN3GXUMA2TR
חבילה סטנדרטית
4,800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IMW65R015M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IMBG65R040M2HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IRFP4310ZPBFXKMA1
TRENCH >=100V