מספר מוצר של יצרן:
IAUT300N08S5N012ATMA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IAUT300N08S5N012ATMA2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
מלאי:
1799 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800365
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IAUT300N08S5N012ATMA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
300A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 275µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
231 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
16250 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-HSOF-8-1
חבילה / מארז
8-PowerSFN
מספר מוצר בסיסי
IAUT300
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IAUT300N08S5N012ATMA2CT
IAUT300N08S5N012CT-DG
IAUT300N08S5N012ATMA2-DG
IAUT300N08S5N012CT
IAUT300N08S5N012
IAUT300N08S5N012DKR-DG
IAUT300N08S5N012DKR
IAUT300N08S5N012ATMA2TR
IAUT300N08S5N012TR-DG
IAUT300N08S5N012TR
IAUT300N08S5N012ATMA2DKR
SP001585160
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPI100N12S305AKSA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
IPD60R650CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
IPA60R125C6E8191XKSA1
MOSFET N-CH TO220-3
