IAUC120N06S5L015ATMA1
מספר מוצר של יצרן:

IAUC120N06S5L015ATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IAUC120N06S5L015ATMA1-DG

תיאור:

MOSFET_)40V 60V)
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 235A (Tj) 167W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-43

מלאי:

12991585
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IAUC120N06S5L015ATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™-5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
235A (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 94µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
114 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8193 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
167W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-43
חבילה / מארז
8-PowerTDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SP005072902
448-IAUC120N06S5L015ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
toshiba-semiconductor-and-storage

TJ20A10M3(STA4,Q

TJ20A10M3(STA4,Q

infineon-technologies

IPB95R130PFD7ATMA1

HIGH POWER_NEW

infineon-technologies

ISZ75DP15LMATMA1

TRENCH >=100V

infineon-technologies

IAUTN12S5N017ATMA1

MOSFET_(120V 300V)