IAUTN12S5N017ATMA1
מספר מוצר של יצרן:

IAUTN12S5N017ATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IAUTN12S5N017ATMA1-DG

תיאור:

MOSFET_(120V 300V)
תיאור מפורט:
N-Channel 120 V Surface Mount PG-HSOF-8-1

מלאי:

3185 יחידות חדשות מק originales במלאי
12991604
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IAUTN12S5N017ATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
120 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
-
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-HSOF-8-1
חבילה / מארז
8-PowerSFN

מידע נוסף

שמות אחרים
448-IAUTN12S5N017ATMA1DKR
448-IAUTN12S5N017ATMA1CT
SP005629891
448-IAUTN12S5N017ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

ISZ810P06LMATMA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IAUTN06S5N008ATMA1

MOSFET_)40V 60V)

infineon-technologies

IPW95R130PFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW