מספר מוצר של יצרן:
FS05MR12A6MA1BBPSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
FS05MR12A6MA1BBPSA1-DG
תיאור:
SIC 1200V 200A AG-HYBRIDD
תיאור מפורט:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 200A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
מלאי:
12997173
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FS05MR12A6MA1BBPSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tray
סדרה
HybridPACK™
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
Silicon Carbide (SiC)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
200A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילה / מארז
Module
חבילת מכשירים לספקים
AG-HYBRIDD-2
מספר מוצר בסיסי
FS05MR12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-FS05MR12A6MA1BBPSA1
SP005247420
חבילה סטנדרטית
6
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MSCSM120DUM08T3AG
SIC 2N-CH 1200V 337A SP3F
MSCSM170DUM23T3AG
SIC 2N-CH 1700V 124A SP3F
PJS6602_S2_00001
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A SOT23-6
