מספר מוצר של יצרן:
MSCSM120DUM08T3AG
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
MSCSM120DUM08T3AG-DG
תיאור:
SIC 2N-CH 1200V 337A SP3F
תיאור מפורט:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 337A (Tc) 1409W (Tc) Chassis Mount SP3F
מלאי:
12997300
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
MSCSM120DUM08T3AG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
Silicon Carbide (SiC)
תצורה
2 N-Channel (Dual) Common Source
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
337A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.8mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.8V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
928nC @ 20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
12100pF @ 1000V
הספק - מקס'
1409W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילה / מארז
Module
חבילת מכשירים לספקים
SP3F
מספר מוצר בסיסי
MSCSM120
מידע נוסף
שמות אחרים
150-MSCSM120DUM08T3AG
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MSCSM170DUM23T3AG
SIC 2N-CH 1700V 124A SP3F
PJS6602_S2_00001
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A SOT23-6
NVJD5121NT1G-M06
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
