FF17MR12W1M1HB70BPSA1
מספר מוצר של יצרן:

FF17MR12W1M1HB70BPSA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

FF17MR12W1M1HB70BPSA1-DG

תיאור:

SIC 1200V AG-EASY1B
תיאור מפורט:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) Chassis Mount AG-EASY1B

מלאי:

21 יחידות חדשות מק originales במלאי
12994032
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
xiT4
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FF17MR12W1M1HB70BPSA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tray
סדרה
CoolSiC™
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
Silicon Carbide (SiC)
תצורה
-
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילה / מארז
Module
חבילת מכשירים לספקים
AG-EASY1B
מספר מוצר בסיסי
FF17MR12

מידע נוסף

שמות אחרים
SP005634488
448-FF17MR12W1M1HB70BPSA1
חבילה סטנדרטית
24

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

NXV08B800DT1

MOSFET 80V APM17-MDC

goford-semiconductor

G120P03S2

MOSFET 30V 16A 8SOP

sanken

SMA5113

MOSFET 4N-CH 450V 7A 12SIP

diodes

DMN61D9UDW-13-50

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363