מספר מוצר של יצרן:
DMN61D9UDW-13-50
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN61D9UDW-13-50-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 350mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-363
מלאי:
12994149
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN61D9UDW-13-50 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel
תכונת FET
Standard
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
350mA (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.4nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
28.5pF @ 30V
הספק - מקס'
320mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
SOT-363
מספר מוצר בסיסי
DMN61
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMN61D9UDW-13-50
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS138BKDW-TPQ2
MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
DMN52D0UVA-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
STA508A
MOSFET 4N-CH 120V 6A 10SIP
