מספר מוצר של יצרן:
BSL372SNH6327XTSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSL372SNH6327XTSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-TSOP6-6
מלאי:
12801430
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSL372SNH6327XTSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
220mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.8V @ 218µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
329 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSOP6-6
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000942920
IFEINFBSL372SNH6327XTSA1
2156-BSL372SNH6327XTSA1
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN10H170SVT-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
5799
DiGi מספר חלק
DMN10H170SVT-7-DG
מחיר ליחידה
0.14
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
PMN280ENEAX
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
3789
DiGi מספר חלק
PMN280ENEAX-DG
מחיר ליחידה
0.07
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB049N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
IPP530N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
IPA60R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
