DMN10H170SVT-7
מספר מוצר של יצרן:

DMN10H170SVT-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMN10H170SVT-7-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26

מלאי:

5799 יחידות חדשות מק originales במלאי
12901021
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

DMN10H170SVT-7 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1167 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TSOT-26
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
DMN10

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
DMN10H170SVT-7DIDKR
DMN10H170SVT-7DICT
DMN10H170SVT-7DITR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

DMT68M8LPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060

taiwan-semiconductor

TSM2302CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23

diodes

DMP3098L-7

MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3

nexperia

BUK7623-75A,118

MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK