מספר מוצר של יצרן:
BSC0923NDIATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC0923NDIATMA1-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
מלאי:
4993 יחידות חדשות מק originales במלאי
12848399
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC0923NDIATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
תכונת FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17A, 32A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1160pF @ 15V
הספק - מקס'
1W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
חבילת מכשירים לספקים
PG-TISON-8
מספר מוצר בסיסי
BSC0923
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-BSC0923NDIATMA1TR
448-BSC0923NDIATMA1DKR
448-BSC0923NDIATMA1CT
BSC0923NDIATMA1-DG
SP000934758
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AO4614B_101
MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
AO8830
MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
FD6M016N03
MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15
