מספר מוצר של יצרן:
FD6M016N03
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FD6M016N03-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 80A Through Hole EPM15
מלאי:
12848450
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FD6M016N03 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
Power-SPM™
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
295nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11535pF @ 15V
הספק - מקס'
-
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
EPM15
חבילת מכשירים לספקים
EPM15
מספר מוצר בסיסי
FD6M016
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
19
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
