מספר מוצר של יצרן:
BSC091N03MSCGATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC091N03MSCGATMA1-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
מלאי:
39335 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946659
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC091N03MSCGATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Bulk
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Ta), 44A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1500 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-6
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFBSC091N03MSCGATMA1
2156-BSC091N03MSCGATMA1
חבילה סטנדרטית
1,094
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDC654P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
BSS127SSN-7
MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
CSD18503KCS
CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE
