FDMS0355S

מספר מוצר של יצרן:

FDMS0355S

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMS0355S-DG

תיאור:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56

מלאי:

6000 יחידות חדשות מק originales במלאי

12946670

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMS0355S מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

אריזות

Bulk

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

18A (Ta), 22A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

31 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1815 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta), 36W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-PQFN (5x6), Power56

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

FDMS0355S Datasheet

מידע נוסף

שמות אחרים

FAIFSCFDMS0355S

2156-FDMS0355S

חבילה סטנדרטית

1,110

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

fairchild-semiconductor

FQPF7N65CYDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FDA16N50-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDA18N50

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP8N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7