מספר מוצר של יצרן:
FDA18N50
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDA18N50-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 239W (Tc) Through Hole TO-3PN
מלאי:
1564 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946683
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDA18N50 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
UniFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
19A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
265mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2860 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
239W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PN
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDA18N50
ONSONSFDA18N50
חבילה סטנדרטית
169
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQP8N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FQPF630
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
