מספר מוצר של יצרן:
BSC050N04LSGATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC050N04LSGATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 18A (Ta), 85A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
מלאי:
108337 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799808
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC050N04LSGATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Ta), 85A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 27µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3700 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-5
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC050
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC050N04LS GCT
SP000354806
BSC050N04LSGATMA1CT
BSC050N04LSG
BSC050N04LS GCT-DG
BSC050N04LS G-DG
BSC050N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC050N04LS GTR-DG
BSC050N04LSGATMA1DKR
BSC050N04LS GDKR
BSC050N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC050N04LSGATMA1TR
BSC050N04LS G
BSC050N04LS GDKR-DG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BTS113ANKSA1
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
IPA65R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO220