מספר מוצר של יצרן:
BSC035N10NS5ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC035N10NS5ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
מלאי:
17819 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799304
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
4jgQ
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC035N10NS5ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 115µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
87 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6500 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 156W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-7
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC035
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001229628
BSC035N10NS5ATMA1CT
BSC035N10NS5ATMA1DKR
BSC035N10NS5ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS159NL6906HTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
BSS87L6327HTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89
BSZ0703LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
