מספר מוצר של יצרן:
BSC031N06NS3GATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC031N06NS3GATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
מלאי:
6397 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799316
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC031N06NS3GATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 93µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
130 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11000 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-1
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC031
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC031N06NS3 G-DG
BSC031N06NS3 GTR-DG
BSC031N06NS3 GCT-DG
BSC031N06NS3GATMA1DKR
BSC031N06NS3GATMA1CT
BSC031N06NS3 GDKR
BSC031N06NS3 GDKR-DG
BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3GATMA1TR
BSC031N06NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC031N06NS3G
BSC031N06NS3 GTR
BSC031N06NS3 G
SP000451482
BSC031N06NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA90R340C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO220-FP
BSC039N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
BSO4410
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO