מספר מוצר של יצרן:
AUIRF7103QTR
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
AUIRF7103QTR-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12798453
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AUIRF7103QTR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Cut Tape (CT)
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
50V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
255pF @ 25V
הספק - מקס'
2.4W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
AUIRF7103
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFIRFAUIRF7103QTR
AUIRF7103QDKR
2156-AUIRF7103QTR
AUIRF7103QCT
SP001517980
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRF7342Q
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
AUIRF7319Q
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC
AUIRF7303Q
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
