מספר מוצר של יצרן:
BSC150N03LDGATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC150N03LDGATMA1-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4
מלאי:
50841 יחידות חדשות מק originales במלאי
12798574
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC150N03LDGATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13.2nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100pF @ 15V
הספק - מקס'
26W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-4
מספר מוצר בסיסי
BSC150
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC150N03LD GTR
BSC150N03LDGATMA1DKR
BSC150N03LDGATMA1TR
BSC150N03LD G-DG
SP000359362
BSC150N03LD GDKR
BSC150N03LD GCT
BSC150N03LD G
BSC150N03LDG
BSC150N03LD GDKR-DG
BSC150N03LD GTR-DG
BSC150N03LD GCT-DG
BSC150N03LDGATMA1CT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRFN8459TR
MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN
AUIRF7309Q
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
AUIRF7341Q
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
