מספר מוצר של יצרן:
GT105N10K
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
GT105N10K-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
תיאור מפורט:
N-Channel 60A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
15000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12989263
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
GT105N10K מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SGT
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-GT105N10KTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AIMBG120R040M1XTMA1
SIC_DISCRETE
BSC033N08NS5SCATMA1
TRENCH 40<-<100V
MCMN2014A-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6J
