מספר מוצר של יצרן:
AIMBG120R040M1XTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
AIMBG120R040M1XTMA1-DG
תיאור:
SIC_DISCRETE
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 48A Surface Mount PG-TO263-7-12
מלאי:
1629 יחידות חדשות מק originales במלאי
12989267
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AIMBG120R040M1XTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolSiC™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
48A
תכונת FET
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-7-12
חבילה / מארז
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
מספר מוצר בסיסי
AIMBG120
מידע נוסף
שמות אחרים
448-AIMBG120R040M1XTMA1DKR
448-AIMBG120R040M1XTMA1TR
448-AIMBG120R040M1XTMA1CT
SP005411513
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSC033N08NS5SCATMA1
TRENCH 40<-<100V
MCMN2014A-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6J
PJMH120N60EC_T0_00601
600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI
