מספר מוצר של יצרן:
GT095N10K
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
GT095N10K-DG
תיאור:
N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
3935 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001323
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
GT095N10K מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SGT
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
55A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
54 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1667 pF @ 50 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
74W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-GT095N10KDKR
3141-GT095N10KCT
4822-GT095N10KTR
3141-GT095N10KTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM056NH04LCV RGG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
AS1M025120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
G45P40T
MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
