מספר מוצר של יצרן:
AS1M025120P
Product Overview
יצרן:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics מספר חלק:
AS1M025120P-DG
תיאור:
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
124 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001331
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AS1M025120P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Anbon Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 15mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
195 nC @ 20 V
VGS (מקס')
+25V, -10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3600 pF @ 1000 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
463W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מידע נוסף
שמות אחרים
4530-AS1M025120P
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
G45P40T
MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
MMFTP3334K
MOSFET SOT23 P -30V -4A 0.071OHM
MCU110N08Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,DPAK