מספר מוצר של יצרן:
G80N03K
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G80N03K-DG
תיאור:
N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
2462 יחידות חדשות מק originales במלאי
12992583
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G80N03K מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1950 pF @ 15 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
69W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G80N03KTR
4822-G80N03KTR
3141-G80N03KCT
3141-G80N03KDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
מודלים חלופיים
מספר חלק
G80N03K
יצרן
Goford Semiconductor
כמות זמינה
2462
DiGi מספר חלק
G80N03K-DG
מחיר ליחידה
0.25
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CMS13N06H8-HF
MOSFET N-CH 60V 56A 8DFN
COM-17396
NTP360N80S3Z SUPERFET III MOSFET
COM-10349
P-CHANNEL MOSFET 60V 27A