G40P03K
מספר מוצר של יצרן:

G40P03K

Product Overview

יצרן:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

G40P03K-DG

תיאור:

P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 40A (Tc) 138W (Tc) Surface Mount TO-252

מלאי:

1976 יחידות חדשות מק originales במלאי
13000890
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

G40P03K מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
138W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
3141-G40P03KCT
3141-G40P03KDKR
3141-G40P03KTR
חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
microchip-technology

MSCSM120SKM31CTBL1NG

PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

diodes

DMT69M5LCG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

rohm-semi

SCT4036KEHRC11

1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

diodes

DMTH8008SPSQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50