מספר מוצר של יצרן:
DMT69M5LCG-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMT69M5LCG-13-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 14.6A (Ta), 52.1A (Tc) 1.37W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
מלאי:
13000905
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMT69M5LCG-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14.6A (Ta), 52.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1406 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.37W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
V-DFN3333-8 (Type B)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMT69M5LCG-13TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMT69M5LCG-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMT69M5LCG-7-DG
מחיר ליחידה
0.22
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SCT4036KEHRC11
1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
DMTH8008SPSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
TSM240N03CX
30V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE
