DMT69M5LCG-7
מספר מוצר של יצרן:

DMT69M5LCG-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMT69M5LCG-7-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 14.6A (Ta), 52.1A (Tc) 1.37W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)

מלאי:

12979098
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

DMT69M5LCG-7 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14.6A (Ta), 52.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1406 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.37W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
V-DFN3333-8 (Type B)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
31-DMT69M5LCG-7TR
חבילה סטנדרטית
2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

DMT10H9M9LSS-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R

diodes

DMN61D9UT-7

2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K

diodes

DMT8008SCT

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T

diodes

DMT61M8SPS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506