מספר מוצר של יצרן:
G28N03D3
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G28N03D3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
תיאור מפורט:
N-Channel 28A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
מלאי:
10000 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001012
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G28N03D3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
23W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-DFN (3.15x3.05)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-G28N03D3TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMT800120DC-22897
FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
TSM80N950CP
800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
