G28N03D3
מספר מוצר של יצרן:

G28N03D3

Product Overview

יצרן:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

G28N03D3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
תיאור מפורט:
N-Channel 28A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

מלאי:

10000 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001012
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

G28N03D3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
23W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-DFN (3.15x3.05)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
4822-G28N03D3TR
חבילה סטנדרטית
5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

FDMT800120DC-22897

FET 120V 4.2 MOHM PQFN88

taiwan-semiconductor

TSM80N950CP

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER

transphorm

TP65H050G4BS

650 V 34 A GAN FET

goford-semiconductor

G08N06S

MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8