מספר מוצר של יצרן:
TP65H050G4BS
Product Overview
יצרן:
Transphorm
DiGi Electronics מספר חלק:
TP65H050G4BS-DG
תיאור:
650 V 34 A GAN FET
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-263
מלאי:
329 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001027
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TP65H050G4BS מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Transphorm
אריזות
Tube
סדרה
SuperGaN®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
GaNFET (Gallium Nitride)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
34A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.8V @ 700µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1000 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
119W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
TP65H050
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
1707-TP65H050G4BS
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
G08N06S
MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
GT095N10D5
N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
BUK4D38-20PX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
