מספר מוצר של יצרן:
G170P03D3
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G170P03D3-DG
תיאור:
P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
מלאי:
5000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12994048
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G170P03D3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
15W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-DFN (3.15x3.05)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G170P03D3TR
4822-G170P03D3TR
3141-G170P03D3DKR
3141-G170P03D3CT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IQD063N15NM5CGATMA1
TRENCH >=100V
DMTH15H017LPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
G080P06T
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
