מספר מוצר של יצרן:
IQD063N15NM5CGATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IQD063N15NM5CGATMA1-DG
תיאור:
TRENCH >=100V
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 14.1A (Ta), 148A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
מלאי:
12994049
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IQD063N15NM5CGATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™ 5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14.1A (Ta), 148A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.32mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.6V @ 159µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4700 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 278W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
-
ההסמכה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TTFN-9-U02
חבילה / מארז
9-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
IQD063
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005588872
448-IQD063N15NM5CGATMA1TR
448-IQD063N15NM5CGATMA1CT
448-IQD063N15NM5CGATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMTH15H017LPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
G080P06T
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
FDBL86066-F085AW
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
