מספר מוצר של יצרן:
G130N06M
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G130N06M-DG
תיאור:
N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263
מלאי:
780 יחידות חדשות מק originales במלאי
13309548
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G130N06M מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2867 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
85W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G130N06MTR
3141-G130N06MCT
3141-G130N06MDKR
4822-G130N06MTR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
G130N06M
יצרן
Goford Semiconductor
כמות זמינה
780
DiGi מספר חלק
G130N06M-DG
מחיר ליחידה
0.32
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
GT023N10T
N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
SSM6K804R,LF
N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.
SSM6J808R,LF
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
