מספר מוצר של יצרן:
G1002
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G1002-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 2A (Tc) 1.3W (Tc) Surface Mount SOT-23
מלאי:
30000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12944834
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G1002 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
250mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
535 pF @ 50 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
1.3W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-G1002TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRFSL4010-306
MOSFET N-CH 100V 180A TO262
G040P04T
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
GT180P08T
MOSFET P-CH 80V 89A TO-220
