מספר מוצר של יצרן:
GT180P08T
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
GT180P08T-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 80V 89A TO-220
תיאור מפורט:
P-Channel 40 V 89A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
36 יחידות חדשות מק originales במלאי
12944851
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
GT180P08T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
89A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
62 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6040 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
245W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-GT180P08T
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DI030N03D1
MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
MMFTN3018W
MOSFET, SOT-323, 60V, 0.1A, N, 0
SI4467DYBAA005AP
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
