G08P06D3
מספר מוצר של יצרן:

G08P06D3

Product Overview

יצרן:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

G08P06D3-DG

תיאור:

P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 8A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

מלאי:

5573 יחידות חדשות מק originales במלאי
12978365
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

G08P06D3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
52mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2972 pF @ 30 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
32W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-DFN (3.15x3.05)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
3141-G08P06D3TR
4822-G08P06D3TR
3141-G08P06D3DKR
3141-G08P06D3CT
חבילה סטנדרטית
5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
goford-semiconductor

G08P06D3

MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L

goford-semiconductor

GT088N06T

N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@

goford-semiconductor

GT088N06T

MOSFET N-CH 60V 60A TO-220

goford-semiconductor

GC20N65Q

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4