מספר מוצר של יצרן:
GC20N65Q
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
GC20N65Q-DG
תיאור:
N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 151W (Tc) Through Hole TO-247
מלאי:
35 יחידות חדשות מק originales במלאי
12978369
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
GC20N65Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
Cool MOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
170mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1724 pF @ 100 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
151W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247
חבילה / מארז
TO-247-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-GC20N65Q
3141-GC20N65Q
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
