G3R60MT07K
מספר מוצר של יצרן:

G3R60MT07K

Product Overview

יצרן:

GeneSiC Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

G3R60MT07K-DG

תיאור:

750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
תיאור מפורט:
750 V Through Hole TO-247-4

מלאי:

1976 יחידות חדשות מק originales במלאי
12958925
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

G3R60MT07K מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
GeneSiC Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
G3R™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
-
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
750 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
-
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
+20V, -10V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-4
חבילה / מארז
TO-247-4

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
1242-G3R60MT07K
חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SQW33N65EF-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

infineon-technologies

IPTG210N25NM3FDATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOG-8

wolfspeed

E3M0075120K

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

renesas-electronics-america

NP90N06VDK-E1-AY

POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER