מספר מוצר של יצרן:
IPTG210N25NM3FDATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPTG210N25NM3FDATMA1-DG
תיאור:
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 7.7A (Ta), 77A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
מלאי:
12958941
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPTG210N25NM3FDATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™ 3
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.7A (Ta), 77A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
21mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 267µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
81 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7000 pF @ 125 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-HSOG-8-1
חבילה / מארז
8-PowerSMD, Gull Wing
מספר מוצר בסיסי
IPTG210N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005431198
448-IPTG210N25NM3FDATMA1CT
448-IPTG210N25NM3FDATMA1DKR
448-IPTG210N25NM3FDATMA1TR
חבילה סטנדרטית
1,800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
E3M0075120K
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
NP90N06VDK-E1-AY
POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER
BSS169IXTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
