מספר מוצר של יצרן:
FQPF9P25YDTU
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FQPF9P25YDTU-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
תיאור מפורט:
P-Channel 250 V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
מלאי:
705 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946443
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQPF9P25YDTU מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
620mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1180 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3 (Y-Forming)
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSFSCFQPF9P25YDTU
2156-FQPF9P25YDTU
חבילה סטנדרטית
352
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FCU850N80Z
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
AUIRF1324STRL
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
FDZ661PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
