מספר מוצר של יצרן:
FCU850N80Z
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FCU850N80Z-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK
מלאי:
1000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946447
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCU850N80Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
SuperFET® II
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
850mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 600µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1315 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
75W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSFCU850N80Z
2156-FCU850N80Z
חבילה סטנדרטית
257
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRF1324STRL
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
FDZ661PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF6714MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
