מספר מוצר של יצרן:
FQPF2N60C
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FQPF2N60C-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F-3
מלאי:
16763 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946563
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQPF2N60C מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
235 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
23W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSFQPF2N60C
2156-FQPF2N60C
חבילה סטנדרטית
501
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF60DM206
IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
FDMS7670
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDPF51N25YDTU
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
