מספר מוצר של יצרן:
IRF60DM206
Product Overview
יצרן:
International Rectifier
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF60DM206-DG
תיאור:
IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 130A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
מלאי:
51208 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946577
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF60DM206 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
StrongIRFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
130A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.7V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
200 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6530 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DirectFET™ Isometric ME
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric ME
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRF60DM206
INFIRFIRF60DM206
חבילה סטנדרטית
208
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMS7670
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDPF51N25YDTU
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
FDP025N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1