מספר מוצר של יצרן:
FQPF19N20
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FQPF19N20-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 11.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3
מלאי:
15905 יחידות חדשות מק originales במלאי
12947177
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQPF19N20 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
150mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FQPF19N20
ONSONSFQPF19N20
חבילה סטנדרטית
279
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF6646TRPBF
IRF6646 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FDD5N50TM
4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE
NTR3A085PZT1G
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI